濕法刻蝕處理系統

一、POLOS Advanced系列濕法刻蝕處理系統產品介紹

我們的POLOS Advanced系列濕法處理系統涵蓋了廣泛的工藝應用。與我們的超聲MegPie和特殊的Lift-Off液結合使用，可進一步用于光阻剝離和金屬剝離。此外，也可與去離子水（DiO3）中的臭氧一起使用，為Piranha ( H2SO4  H2O2)清洗提供有效的替代。

Coating - Etching- Developing - Cleaning

1、Coating

（1）POLOS Advanced系列濕法處理系統適用于所有典型的旋涂工藝，該系統在特殊應用可選用高耐化學性 PTFE (TFM™)作為旋涂腔體。旋涂是制造納米聚合物薄膜（PDMS、嵌段聚合體等）技術之一。可編程旋轉速度內的加速度是很重要的，因為它控制了從一個給定的溶液中可以獲得的厚度。旋涂可以相對容易地從1000轉以上的轉速產生均勻的薄膜。

（2）POLOS Advanced系列濕法處理系統的優勢在于其所采用的馬達為高性能無刷電機，12,000轉/分鐘的旋轉速度和高達30,000轉/秒*的旋轉加速度，使其能夠快速生產從幾納米到幾微米厚的均勻薄膜。

（3）POLOS Advanced系列濕法處理系統控制電機模式的旋轉（順時針/逆時針），結合可選的多達6個自動分配器，能夠實現多層薄膜的均勻沉積和光阻顯影。這些特點支持用全自動和高度可重復的程序配方來快速優化工藝。

2、Etching

晶圓減薄（背面研磨）的旋涂蝕刻作為晶圓減薄的后處理方法被用于集成電路和MEMS的制造，以便于：

（1）實現理想的器件厚度（IC、MEMS）；

（2）確保基于器件功能的特定厚度（MEMS）；

（3）減少垂直器件（功率器件）的基材串聯電阻；

德國Fraunhofer ENAS的K.Gottfried博士在POLOS Advanced濕法處理系統上用HNO3 / HF / CH3COOH進行旋涂蝕刻的研究證明，濕法蝕刻，作為旋涂蝕刻的執行，可以去除10微米的硅。此外，它幾乎*消除了研磨引起的基材損傷的所有痕跡。該平臺提供了一個相對簡單且價格合理的工藝設置。該工藝比CMP快得多，它提供了一個較高的蝕刻率，并且能夠直接處理背面研磨的晶圓，而不需要額外的清洗。

該平臺的標準特點：

①適用于100毫米、150毫米和200毫米晶圓的工藝；

②適用于多種化學品；

③KOH

④HNO3 / HF / CH3COOH (HNA)

⑤晶圓片連續旋轉；

⑥Puddle模式

⑦分注位置可固定

⑧在特定距離(晶圓直徑)上的振蕩運轉模式

⑨噴霧式點膠  

⑩沖洗式點膠

資料來源：Fraunhofer ENAS-Dr. Knut Gottfried, Precise Bulk Silicon Wet Etching 2013

（Fraunhofer ENAS-Knut Gottfried博士，精確批量硅濕法蝕刻 2013年）

3、Post-CMP Cleaning

在CMP之后，表面可能會被漿料的殘留物高度污染。在用含有50nm膠體二氧化硅顆粒的漿料拋光的3''硅片上進行的測試表明，使用POLOS Advanced與ZTop MegPie兆聲波換能器在1MHz左右工作，結合稀釋的NH4OH，可以產生很好的清潔效果。

高度稀釋（2%）的NH4OH用于增強顆粒和表面之間的靜電排斥力（控制Zeta電位），以避免重新沉積和重新附著。

我們的測試案例將POLOS ZTop MegPie整合在POLOS 200 Advanced 濕法處理系統內。這個MegPie套件允許你在150毫米和200毫米的有效尺寸之間進行選擇，并可選擇藍寶石或不銹鋼ZTop MegPie。

POLOS ZTop MegPie控制集成到POLOS Advanced的軟件中，允許伺服控制MegPie的定位和控制前進功率。它還監測反射功率，并控制溫度警報。與基體的距離由一個超聲波傳感器監測。

二、POLOS Advanced系列濕法刻蝕處理系統技術參數

三、可選配項